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D7N60 bis 252B

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert
und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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7A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET


1 Beschreibung

Diese N-Channel-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

● schnelles Umschalten

● ESD verbesserte die Fähigkeit 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 1,25 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 24 nc) 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität (Typ: 5.5PF) 

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest

● 100% ΔVDS -Test 


3 Anwendungen

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet.

● Stromschalterkreis von Elektronenballast und Adapter.


VDSS  RDS (ON) （Typ) AUSWEIS 
600V 1 Ω 7a



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