D7N60 TO-252B

7A 600V N-channel ማበልጸጊያ ሁነታ ኃይል MOSFET

1 መግለጫ

እነዚህ ኤን-ቻናል የተሻሻሉ vdmosfets፣ የተገኘው በራስ ተሰልፎ በሚሠራው የፕላን ቴክኖሎጂ አማካኝነት የመምራት ኪሳራን የሚቀንስ፣ የመቀያየር አፈጻጸምን የሚያሻሽል እና የበረዶ ላይ ጉልበትን ይጨምራል። የትኛው ከRoHS መስፈርት ጋር ይስማማል። 

2 ባህሪያት 

● ፈጣን መቀያየር

● ESD ችሎታን አሻሽሏል። 

● የመቋቋም ችሎታ ዝቅተኛ (Rdson≤1.25Ω) 

● ዝቅተኛ የበር ክፍያ (አይነት፡ 24nC) 

● ዝቅተኛ የተገላቢጦሽ የማስተላለፊያ አቅም (አይነት፡ 5.5pF) 

● 100% ነጠላ የpulse avalanche energy ሙከራ

● 100% ΔVDS ፈተና 

3 መተግበሪያዎች

● በተለያዩ የኃይል መቀየሪያ ወረዳዎች ውስጥ ለስርዓት ዝቅተኛነት እና ለከፍተኛ ውጤታማነት ያገለግላል።

● የኤሌክትሮን ባላስት እና አስማሚ የኃይል መቀየሪያ ዑደት።

ቪዲኤስኤስ	RDS(በርቷል)(TYP)	መታወቂያ
600 ቪ	1 Ω	7A