D7N60 TO-252B

7A 600V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

1 ဖော်ပြချက်

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသည့် self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 

အင်္ဂါရပ် ၂ ခု 

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။

● ESD စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ပေးသည်။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်(Rdson≤1.25Ω) 

● တံခါးအားသွင်းမှု နည်းသည် (အမျိုးအစား- 24nC) 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည်(အမျိုးအစား- 5.5pF) 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 

3 လျှောက်လွှာများ

● စနစ်အသေးစားပြုလုပ်ခြင်းနှင့် ပိုမိုမြင့်မားသောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် ပါဝါပြောင်းသည့်ပတ်လမ်းအမျိုးမျိုးတွင် အသုံးပြုသည်။

● အီလက်ထရွန်ဘလတ်စ်နှင့် အဒက်တာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။

VDSS	RDS(on) (TYP)	အမှတ်သညာ
600V	1 Ω	7A