گیٹ
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
آپ یہاں ہیں: گھر » مصنوعات » MOSFET » 400V-1500V N MOS » D7N60 TO-252B

لوڈ ہو رہا ہے

اس کے ساتھ اشتراک کریں:
فیس بک شیئرنگ بٹن
ٹویٹر شیئرنگ بٹن
لائن شیئرنگ بٹن
وی چیٹ شیئرنگ بٹن
لنکڈ شیئرنگ بٹن
پنٹیرسٹ شیئرنگ بٹن
واٹس ایپ شیئرنگ بٹن
اس شیئرنگ بٹن کو شیئر کریں۔

D7N60 TO-252B

یہ N-چینل بہتر بنائے گئے vdmosfets، خود سے منسلک پلانر ٹیکنالوجی کے ذریعے حاصل کیے گئے ہیں جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتے ہیں، سوئچنگ کی
کارکردگی کو بہتر بناتے ہیں اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتے ہیں۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔
دستیابی:
مقدار:
  • D7N60

  • ڈبلیو ایکس ڈی ایچ

  • D7N60

  • TO-252B

  • 英文版D7N60技术规格书.pdf

  • 600V

  • 7A

7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 تفصیل

یہ N-چینل بہتر بنائے گئے vdmosfets، خود سے منسلک پلانر ٹیکنالوجی کے ذریعے حاصل کیے گئے ہیں جو ترسیل کے نقصان کو کم کرتے ہیں، سوئچنگ کی کارکردگی کو بہتر بناتے ہیں اور برفانی تودے کی توانائی کو بڑھاتے ہیں۔ جو RoHS معیار کے مطابق ہے۔ 


2 خصوصیات 

● تیز سوئچنگ

● ESD بہتر صلاحیت 

● کم مزاحمت (Rdson≤1.25Ω) 

● کم گیٹ چارج (قسم: 24nC) 

● کم ریورس ٹرانسفر کیپیسیٹینس (قسم: 5.5pF) 

● 100% سنگل پلس برفانی توانائی ٹیسٹ

● 100% ΔVDS ٹیسٹ 


3 درخواستیں

● نظام کے چھوٹے بنانے اور اعلی کارکردگی کے لیے مختلف پاور سوئچنگ سرکٹ میں استعمال کیا جاتا ہے۔

● الیکٹران بیلسٹ اور اڈاپٹر کا پاور سوئچ سرکٹ۔


وی ڈی ایس ایس  RDS(آن) (TYP) ID 
600V 1 Ω 7A



پچھلا: 
اگلا: 
  • ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
  • مستقبل کے لیے ہمارے نیوز لیٹر کے لیے سائن اپ کریں۔
    براہ راست اپنے ان باکس میں اپ ڈیٹس حاصل کرنے کے لیے