D7N60 TO-252B

7A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 คำอธิบาย

vdmosfets ที่ปรับปรุงด้วย N-channel เหล่านี้ได้มาจากเทคโนโลยีระนาบแนวระนาบในตัว ซึ่งลดการสูญเสียการนำไฟฟ้า ปรับปรุงประสิทธิภาพการสลับ และเพิ่มพลังงานหิมะถล่ม ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

● การสลับอย่างรวดเร็ว

● ความสามารถที่ได้รับการปรับปรุง ESD 

● ความต้านทานต่ำ (Rdson≤1.25Ω) 

● ค่าเกตต่ำ (ประเภท: 24nC) 

● ความจุการถ่ายโอนย้อนกลับต่ำ (ประเภท: 5.5pF) 

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100%

● การทดสอบ ΔVDS 100% 

3 การใช้งาน

● ใช้ในวงจรสว��ตชิ่งกำลังต่างๆ เพื่อการย่อขนาดระบบและประสิทธิภาพที่สูงขึ้น

● วงจรสวิตช์เปิด/ปิดของบัลลาสต์อิเล็กตรอนและอะแดปเตอร์

วีดีเอสเอส	RDS (เปิด) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
600V	1 โอห์ม	7เอ