D7N60 TO-252B

7A 600V N-canal Modo de aprimoramento de energia MOSFET

1 Descrição

Esses VDMOSFETs aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia plana auto-alinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho da comutação e aprimora a energia da avalanche. Que de acordo com o padrão ROHS. 

2 recursos 

● Comutação rápida

● Capacidade aprimorada de ESD 

● Baixa resistência (RDSON≤1,25Ω) 

● Carga baixa do portão (Tip: 24NC) 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa (Typ: 5.5pf) 

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único

● Teste 100% ΔVDS 

3 aplicações

● Utilizado em vários circuitos de comutação de energia para miniaturização do sistema e maior eficiência.

● Circuito de troca de energia do reator de elétrons e adaptador.