brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Produkty » MOSFET » 400V-1500V N MOS » D7N60 TO-252B

načítavanie

Zdieľať s:
tlačidlo zdieľania na facebooku
tlačidlo zdieľania na Twitteri
tlačidlo zdieľania linky
tlačidlo zdieľania wechat
prepojené tlačidlo zdieľania
tlačidlo zdieľania na pintereste
tlačidlo zdieľania whatsapp
zdieľať toto tlačidlo zdieľania

D7N60 TO-252B

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací
výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS.
Dostupnosť:
Množstvo:

7A 600V N-kanálový režim vylepšenia výkonu MOSFET


1 Popis

Tieto N-kanálové vylepšené vdmosfety sa získavajú samo-zarovnanou planárnou technológiou, ktorá znižuje stratu vedenia, zlepšuje spínací výkon a zvyšuje lavínovú energiu. Čo je v súlade s normou RoHS. 


2 Vlastnosti 

● Rýchle prepínanie

● Vylepšená schopnosť ESD 

● Nízky odpor (Rdson≤1,25Ω) 

● Nízke nabitie brány (Typ: 24 nC) 

● Nízke kapacity spätného prenosu (Typ: 5,5 pF) 

● 100% test lavínovej energie s jedným impulzom

● 100 % test ΔVDS 


3 Aplikácie

● Používa sa v rôznych výkonových spínacích obvodoch na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť.

● Obvod vypínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS  RDS (zapnuté) (TYP) ID 
600 V 1 Ω 7A



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa na odber nášho newslettera
  • pripravte sa na budúcu
    registráciu na odber nášho bulletinu, aby ste dostávali aktualizácie priamo do vašej doručenej pošty