未命名 (1) (8) (1)
portão
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Você está aqui: Lar » Produtos » MOSFET » 12V-300V N MOS » dse065n10l3a to-263

carregando

Compartilhar para:
Botão de compartilhamento do Facebook
Botão de compartilhamento do Twitter
Botão de compartilhamento de linha
Botão de compartilhamento do WeChat
Botão de compartilhamento do LinkedIn
Botão de compartilhamento do Pinterest
Botão de compartilhamento do WhatsApp
Botão de compartilhamento de sharethis

DSE065N10L3A TO-263

Esses MOSFETs de energia de aprimoramento de canal N usavam o design avançado da tecnologia de valas de portão de divisão, forneceram excelente rdson e baixa carga do portão. Que de acordo com o padrão ROHS.
Disponibilidade:
Quantidade:
Pergunte Adicione à cesta

100V/5.6MΩ/103A N-MOSFET


1 Descrição 

Esse modo de aprimoramento de aprimoramento de canais N MOSFET utiliza a tecnologia avançada de valas de portão dividida, que fornece excelente carga rdson e baixa portão ao mesmo tempo. Que de acordo com o padrão ROHS. 


2 recursos 

• AEC-Q101 Qualificado

● baixa resistência 

● Capacitâncias de transferência reversa baixa

● Teste de energia de avalanche de pulso 100% único 

● Teste 100% ΔVDS

● Compatível de revestimento sem Pb / sem halogênio / ROHS


3 aplicações 

• Controle e acionamento motor 

• Carga/descarga para o sistema de gerenciamento de bateria 

• retificador síncrono para SMPS

• Aplicativo automotivo


VDSS Rds (on) (Typ) EU IA
100V 5.6mΩ 103a


Anterior: 
Próximo: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Inscreva -se para a nossa newsletter
  • Prepare
    ​
    Enviar
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by leadong.com