未命名 (1) (8) (1)
port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » DSE065N10L3A TO-263

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

DSE065N10L3A TO-263

Disse N-kanals forbedringsmodus Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden.
Tilgængelighed:
Mængde:
Spørge Føj til kurv

100V/5,6MΩ/103A N-MOSFET


1 Beskrivelse 

Denne N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET bruger avanceret Split Gate Trench Technology, som giver fremragende RDSON og lav gate-opladning på samme tid. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

• AEC-Q101 kvalificeret

● Lav modstand 

● Lav omvendt overførselskapacitanser

● 100% enkelt puls -lavine energitest 

● 100% ΔVDS -test

● PB-fri plettering / halogenfri / ROHS-kompatibel


3 applikationer 

• Motorstyring og kør 

• Oplad/udladning for batteristyringssystem 

• Synkron ensretter for SMP'er

• Automotive -applikation


VDSS RDS (on) (typ) Id
100v 5,6mΩ 103a


Tidligere: 
Næste: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke
    Indsende
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology af leadong.com