port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » MOSFET » 12V-300V N MOS » DSE065N10L3A TO-263

lasting

Del til:
Facebook delingsknapp
twitter-delingsknapp
linjedeling-knapp
wechat-delingsknapp
linkedin delingsknapp
pinterest delingsknapp
whatsapp delingsknapp
del denne delingsknappen

DSE065N10L3A TO-263

Disse kraftmofettene i N-kanals forbedringsmodus brukte avansert splitt gate grøfteteknologidesign, ga utmerket Rdson og lav portlading. Som samsvarer med RoHS-standarden.
Tilgjengelighet:
Antall:

100V/5,6mΩ/103A N-MOSFET


1 Beskrivelse 

Denne N-kanals forbedringsmodus-MOSFET-en bruker avansert Split Gate Trench-teknologi, som gir utmerket Rdson og lav Gate-lading samtidig. Som samsvarer med RoHS-standarden. 


2 funksjoner 

• AEC-Q101 kvalifisert

● Lav motstand 

● Lave reversoverføringskapasitanser

● 100 % enkeltpuls skredenergitest 

● 100 % ΔVDS-test

● Pb-fri plettering / Halogenfri / RoHS-kompatibel


3 applikasjoner 

• Motorstyring og kjøring 

• Lading/utlading for batteristyringssystem 

• Synkron likeretter for SMPS

• Automotive Application


VDSS RDS(på)(TYP) ID
100V 5,6 mΩ 103A


Tidligere: 
Neste: 
  • Meld deg på vårt nyhetsbrev
  • gjør deg klar for fremtiden
    registrer deg på vårt nyhetsbrev for å få oppdateringer rett i innboksen din