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DSE065N10L3A à 263

Ces MOSFET de puissance en mode d'amélioration du canal N ont utilisé la conception avancée de la technologie de la tranchée SPLITE GATE, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS.
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100V / 5,6mΩ / 103a N-MOSFET


1 Description 

Cette puissance MOSFET en mode d'amélioration du canal N utilise une technologie avancée de tranchée de porte Split, qui offre une excellente charge RDSON et Low Gate en même temps. Qui correspond à la norme ROHS. 


2 caractéristiques 

• AEC-Q101 qualifié

● Faible de résistance 

● Capacités de transfert inverse faibles

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion 

● Test à 100% ΔVDS

● Pb-Free Plating / HalogoGe / ROHS conforme


3 applications 

• Contrôle du moteur et entraînement 

• Charge / décharge pour le système de gestion des batteries 

• Rectifier synchrone pour SMPS

• Application automobile


Vds RDS (ON) (TYP) IDENTIFIANT
100V 5,6mΩ 103a


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