未命名 (1) (8) (1)
kapija
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ti si ovdje: Dom » Proizvodi » Mosfet » 12V-300V N MOS » » dse065n10l3a to-263

učitavanje

Podijeli na:
Gumb za dijeljenje Facebooka
Gumb za dijeljenje na Twitteru
gumb za dijeljenje linija
gumb za dijeljenje weChat
LinkedIn gumb za dijeljenje
Gumb za dijeljenje Pinterest -a
Gumb za dijeljenje Whatsappa
gumb za dijeljenje Sharethis

DSE065N10L3A TO-263

Ovi N-kanalni način poboljšanja Mosfets koristili su napredni dizajn tehnologije Trench Splite Gate, osigurali su izvrstan RDSON i niski naboj. Koji se slaže sa ROHS standardom.
Dostupnost:
količina:
Raspitati se Dodaj u koš

100V/5,6mΩ/103A N-Mosfet


1 Opis 

Ovaj N-kanalni način poboljšanja Power MOSFET koristi naprednu tehnologiju rovova s ​​podijeljenim vratima, koja istovremeno pruža izvrsnu RDSON i nisku punjenje vrata. Koji se slaže sa ROHS standardom. 


2 značajke 

• Kvalificiran AEC-Q101

● nizak otpor 

● Niski kapaciteti za obrnuto prijenose

● 100% pojedinačni test energetike pulsa 

● 100% ΔVDS test

● PB-bez PBONG / HALOGEN / ROHS UREDIŠTENE


3 prijave 

• Upravljanje motorom i pogon 

• Napunite/ispraznite sustav za upravljanje baterijom 

• Sinkroni ispravljač za SMPS

• Automobilska aplikacija


VDSS RDS (ON) (TIP) Osobna iskaznica
100v 5,6mΩ 103a


Prethodno: 
Sljedeći: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Prijavite se za naš bilten
  • Pripremite se za buduću
    prijavu za naš bilten kako biste dobili ažuriranja izravno u vašu pristiglu poštu
    Podnijeti
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by LEADONG.com