未命名 (1) (8) (1)
hek
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Je bent hier: Thuis » Producten » Mosfet » 12V-300V n mos » » dse065n10l3a TO-263

laden

Delen op:
Facebook -knop delen
Twitter -knop delen
Lijnuitdeling knop
Wechat delen knop
LinkedIn Sharing -knop
Pinterest delen knop
whatsapp delen knop
Sharethis delen knop

DSE065N10L3A TO-263

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET's gebruikten geavanceerde splite gate trench-technologieontwerp, bood uitstekende RDSON en lage poortlading. Die overeenkomt met de ROHS -standaard.
Beschikbaarheid:
hoeveelheid:
Vragen Toevoegen aan de mand

100V/5,6 mΩ/103a n-mosfet


1 beschrijving 

Deze N-kanaalverbeteringsmodus Power MOSFET gebruikt geavanceerde split gate trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende RDSON en lage poortkosten biedt. Die overeenkomt met de ROHS -standaard. 


2 functies 

• AEC-Q101 gekwalificeerd

● Laag op weerstand 

● Lage omgekeerde overdrachtscapaciteiten

● 100% enkele puls Avalanche Energy Test 

● 100% AVDS -test

● PB-vrij plating / halogeenvrij / ROHS-compatibel


3 toepassingen 

• Motorbesturing en -aandrijving 

• Laad/ontlading voor batterijbeheersysteem 

• Synchrone gelijkrichter voor SMP's

• Automotive -applicatie


VDSS RDS (ON) (typ) Id
100V 5.6mΩ 103a


Vorig: 
Volgende: 
Mosfet
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Meld u aan voor onze nieuwsbrief
  • Maak je klaar voor de toekomstige
    aanmelding voor onze nieuwsbrief om updates rechtstreeks naar je inbox te krijgen
    Indienen
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology door leadong.com