DSE065N10L3A TO-263

100V/5,6mΩ/103A N-MOSFET

1 Beschrijving 

Deze N-kanaals vermogens-MOSFET maakt gebruik van geavanceerde Split Gate Trench-technologie, die tegelijkertijd uitstekende Rdson en lage Gate-lading biedt. Welke in overeenstemming is met de RoHS-norm. 

2 Kenmerken 

• AEC-Q101 gekwalificeerd

● Weinig weerstand 

● Lage omgekeerde overdrachtcapaciteiten

● 100% lawine-energietest met enkele puls 

● 100% AVDS-test

● Pb-vrije coating / halogeenvrij / RoHS-compatibel

3 toepassingen 

• Motorbesturing en aandrijving 

• Laden/ontladen voor batterijbeheersysteem 

• Synchrone gelijkrichter voor SMPS

• Automotive-toepassing

VDSS	RDS(aan)(TYP)	Identiteitskaart
100V	5,6 mΩ	103A