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DSE065N10L3A TO-263

これらの N チャネル エンハンスメント モード パワー MOSFET は、高度なスプリット ゲート トレンチ技術設計を使用し、優れた Rdson と低いゲート電荷を実現しました。 RoHS規格に準拠しています。
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100V/5.6mΩ/103A N-MOSFET


1 説明 

こ 


2 特徴 

• AEC-Q101 準拠

●低オン抵抗 

● 低い逆伝達容量

● 100%シングルパルスアバランシェエネルギー試験 

● 100% ΔVDS テスト

●鉛フリーメッキ・ハロゲンフリー・RoHS対応


3 アプリケーション 

• モーター制御と駆動 

• バッテリー管理システムの充放電 

• SMPS 用同期整流器

• 自動車用途


VDSS RDS(オン)(TYP) ID
100V 5.6mΩ 103A


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