DSE065N10L3A ถึง -263

โหมดการปรับปรุง N-Channel Mosfets เหล่านี้ใช้การออกแบบเทคโนโลยีร่องน้ำเกต Splite ขั้นสูงให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำ ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS

ความพร้อม:

ปริมาณ:



สอบถาม เพิ่มลงในตะกร้า

แบบอย่าง:
DSE065N10L3A
ยี่ห้อ:
wxdh
บรรจุุภัณฑ์:
ถึง -263
แผ่นข้อมูล:
donghai_dse065n10l3a_datasheet_v1.0.pdf
V:
100V
A:
103a

คำอธิบายผลิตภัณฑ์

100V/5.6MΩ/103A N-MOSFET

1 คำอธิบาย

โหมดการปรับปรุง N-Channel MOSFET นี้ใช้เทคโนโลยีการแยกเกตแบบแยกขั้นสูงซึ่งให้ RDSON ที่ยอดเยี่ยมและชาร์จประตูต่ำในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน ROHS

2 คุณสมบัติ

• AEC-Q101 มีคุณสมบัติ

●ความต้านทานต่ำ

●ความสามารถในการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

●การทดสอบพลังงานพัลส์อะเวียนเดี่ยว 100%

●การทดสอบ 100% ΔVDS

●เป็นไปตามมาตรฐานการชุบฟรี / ปลอดฮาโลเจน / ROHS

3 แอปพลิเคชัน

•การควบคุมมอเตอร์และไดรฟ์

•การชาร์จ/จำหน่ายสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่

•วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS

•แอปพลิเคชันยานยนต์