DSE065N10L3A TO-263

100V/5.6mΩ/103A N-MOSFET

1 คำอธิบาย 

MOSFET พลังงานโหมดเพิ่มประสิทธิภาพ N-channel นี้ใช้เทคโนโลยี Split Gate Trench ขั้นสูง ซึ่งให้การชาร์จ Rdson และ Low Gate ที่ยอดเยี่ยมในเวลาเดียวกัน ซึ่งสอดคล้องกับมาตรฐาน RoHS 

2 คุณสมบัติ 

• ผ่านการรับรอง AEC-Q101

● ความต้านทานต่ำ 

● ความจุการถ่ายโอนแบบย้อนกลับต่ำ

● การทดสอบพลังงานหิมะถล่มพัลส์เดี่ยว 100% 

● การทดสอบ ΔVDS 100%

● การชุบแบบไร้ Pb / ไร้ฮาโลเจน / เป็นไปตามมาตรฐาน RoHS

3 การใช้งาน 

• การควบคุมมอเตอร์และการขับเคลื่อน 

• การชาร์จ/คายประจุสำหรับระบบการจัดการแบตเตอรี่ 

• วงจรเรียงกระแสแบบซิงโครนัสสำหรับ SMPS

• การใช้งานด้านยานยนต์

วีดีเอสเอส	RDS (บน) (ประเภท)	บัตรประจำตัวประชาชน
100V	5.6mΩ	103เอ