DSE065N10L3A TO-263

100 V/5,6 mΩ/103 A N-MOSFET

1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Anreicherungsmodus nutzt die fortschrittliche Split-Gate-Trench-Technologie, die gleichzeitig einen hervorragenden Rdson und eine niedrige Gate-Ladung bietet. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

• AEC-Q101-qualifiziert

● Geringer Widerstand 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / RoHS-konform

3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Laden/Entladen für Batteriemanagementsystem 

• Synchrongleichrichter für SMPS

• Automobilanwendung

VDSS	RDS(ein)(TYP)	AUSWEIS
100V	5,6 mΩ	103A