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DSE065N10L3A TO-263

Diese N-Channel-Verbesserungsmodus-MOSFETs verwendeten fortschrittliche Splite-Gate-Graben-Technologie-Design und bildeten eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung. Das entspricht dem ROHS -Standard.
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100 V/5,6 mΩ/103a n-mosfet


1 Beschreibung 

Dieser N-Kanal-Verbesserungsmodus-Power MOSFET verwendet die fortschrittliche Split-Gate-Grabentechnologie, die gleichzeitig eine hervorragende RDSON- und niedrige Gate-Ladung bietet. Das entspricht dem ROHS -Standard. 


2 Merkmale 

• AEC-Q101 qualifiziert

● Niedrig des Widerstands 

● Niedrige Umkehrtransferkapazität

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test

● Pb-freie Beschichtung / Halogenfrei / ROHS-konform


3 Anwendungen 

• Motorsteuerung und Antrieb 

• Ladung/Entladung für das Batteriemanagementsystem 

• Synchroner Gleichrichter für SMPs

• Automobilanwendung


VDSS RDS (ON) (Typ) AUSWEIS
100V 5,6 mΩ 103a


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