MOSFET de potência do modo de aprimoramento de canal N 12A 100V
1 Descrição
Esses vdmosfets aprimorados de canal N são obtidos pela tecnologia planar autoalinhada que reduz a perda de condução, melhora o desempenho de comutação e aumenta a energia da avalanche. O que está de acordo com o padrão RoHS.
2 recursos
● Troca rápida
● Baixa resistência
● Taxa de portão baixa
● Baixas capacitâncias de transferência reversa
● Teste de energia de avalanche de pulso único de 100%
● Teste ΔVDS 100%
3 aplicações
● Fontes de alimentação comutadas de alta eficiência.
● Circuito do interruptor de alimentação do adaptador e do carregador.
● UPS
● Chave de carga
| VDSS |
RDS(ligado)(TYP) |
EU IA |
| 100 V |
75mΩ |
12A |