ဂိတ်
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
မင်းဒီမှာပါ- အိမ် » ထုတ်ကုန်များ » MOSFET » 12V-300V N MOS » 12A 100V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

loading

မျှဝေရန်-
facebook share ခလုတ်
twitter မျှဝေခြင်းခလုတ်
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
wechat မျှဝေခြင်းခလုတ်
linkedin sharing ကိုနှိပ်ပါ။
pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
whatsapp မျှဝေခြင်းခလုတ်
ဤမျှဝေမှုကို မျှဝေရန် ခလုတ်ကိုနှိပ်ပါ။

12A 100V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော VDMOSFETs များသည် အလွန်ကောင်းမွန်သော RDSON နှင့် တံခါးအားသွင်းမှုနည်းသော အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည့် အဆင့်မြင့် ကတုတ်ကျင်းနည်းပညာကို အသုံးပြုထားသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။
ရရှိနိုင်မှု-
အရေအတွက်-
  • B12N10/D12N10

  • WXDH

12A 100V N-channel Enhancement Mode ပါဝါ MOSFET


1 ဖော်ပြချက် 

ဤ N-channel မြှင့်တင်ထားသော vdmosfets များသည် conduction ဆုံးရှုံးမှုကို လျှော့ချရန်၊ switching performance ကို မြှင့်တင်ရန်နှင့် avalanche စွမ်းအင်ကို မြှင့်တင်ပေးသော self-aligned planar နည်းပညာဖြင့် ရရှိပါသည်။ RoHS စံနှုန်းနဲ့ ကိုက်ညီပါတယ်။ 


အင်္ဂါရပ် ၂ ခု

● အမြန်ပြောင်းခြင်း။ 

● ခုခံမှုနည်းသည်။ 

● နိမ့်သောဂိတ်တာဝန်ခံ 

● နိမ့်သောပြောင်းပြန်လွှဲပြောင်းစွမ်းရည် 

● 100% single pulse avalanche စွမ်းအင်စမ်းသပ်မှု 

● 100% ΔVDS စမ်းသပ်မှု 


3 လျှောက်လွှာများ 

● စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် ခလုတ်မုဒ် ပါဝါထောက်ပံ့မှုများ။

● အဒက်တာနှင့် အားသွင်းကိရိယာ၏ ပါဝါခလုတ်ပတ်လမ်း။

● UPS 

● Load ခလုတ်

VDSS RDS(ဖွင့်)(TYP) အမှတ်သညာ
100V 75mΩ 12A


ယခင်- 
နောက်တစ်ခု: 
  • ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက် စာရင်းသွင်းပါ။
  • အနာဂတ်တွင် စာရင်းပေးသွင်းရန် အဆင်သင့်ဖြစ်နေပါစေ။
    သင့်ဝင်စာပုံးတွင် အပ်ဒိတ်များကို တိုက်ရိုက်ရယူရန် ကျွန်ုပ်တို့၏သတင်းလွှာအတွက်