Kullanılabilirlik: | |
---|---|
Miktar: | |
B12N10/D12N10
WXDH
12A 100V N-Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Yüksek verimlilik anahtarı modu güç kaynakları.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.
● UPS
● Yük anahtarı
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 75mΩ | 12a |
12A 100V N-Kanal Geliştirme Modu Power Mosfet
1 Açıklama
Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur.
2 Özellik
● Hızlı anahtarlama
● Direnç düşük
● Düşük kapı şarjı
● Düşük ters transfer kapasitansları
●% 100 tek nabız çığ enerji testi
●% 100 ΔVDS testi
3 Uygulama
● Yüksek verimlilik anahtarı modu güç kaynakları.
● Adaptör ve şarj cihazının güç anahtarı devresi.
● UPS
● Yük anahtarı
VDSS | RDS (ON) (tip) | İD |
100V | 75mΩ | 12a |