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12 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

Diese N-Kanal-Enhanced-VDMOSFETs nutzen ein fortschrittliches Trench-Technologie-Design und bieten einen hervorragenden RDSON und eine niedrige Gate-Ladung. Was dem RoHS-Standard entspricht.
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  • B12N10/D12N10

  • WXDH

12 A 100 V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET


1 Beschreibung 

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 


2 Funktionen

● Schnelles Umschalten 

● Geringer Widerstand 

● Niedrige Gate-Ladung 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten 

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 


3 Anwendungen 

● Hocheffiziente Schaltnetzteile.

● Netzschalter-Stromkreis von Adapter und Ladegerät.

● USV 

● Lastschalter

VDSS RDS(ein)(TYP) AUSWEIS
100V 75 mΩ 12A


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