未命名 (1) (8) (1)
brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nacházíte se zde: Domov » Produkty » » MOSFET » 12V-300V n mos » 200a 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH020N03D TO-252B

načítání

Sdílet na:
Tlačítko sdílení Facebooku
tlačítko sdílení Twitteru
Tlačítko sdílení linky
Tlačítko sdílení WeChat
tlačítko sdílení LinkedIn
Tlačítko sdílení Pinterestu
tlačítko sdílení WhatsApp
Tlačítko sdílení Sharethis

200A 30V N-kanálový režim vylepšení Power MOSFET DH020N03D TO-252B

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS.
Dostupnost:
Množství:
Zeptejte se Přidejte do koše

200A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1Description 

Tyto režim vylepšení N-kanálů Power MOSFETS používal pokročilý trenční technologický design, poskytoval vynikající RDSON a nízký náboj brány. Který v souladu se standardem ROHS. 


2 funkce

● nízký odpor 

● Nízký náboj brány 

● Rychlé přepínání 

● nízký reverzní přenos kapacity 

● 100% test na lavinu s jedním pulsem 

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikace 

● Aplikace pro přepínání napájení

● Systém správy střídače

● Elektrické nástroje 

● Automobilová elektronika


VDSS RDS (on) (typ) Id
30v 2mΩ 200a


Stáhnout Zařízení DH020N03 (B39) Specifikace.pdf

Předchozí: 
Další: 
MOSFET
  • Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
  • Zaregistrujte se do našeho zpravodaje
  • Připravte se na budoucnost
    Zaregistrujte se do našeho zpravodaje a získejte aktualizace přímo do vaší doručené pošty
    Předložit
Copyright © 2023Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd Technology by Leadong.com