200A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET DH020N03D TO-252B

200A 30V N-kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1Açıklama 

Bu N-kanal geliştirme modu güç mosfetleri, gelişmiş kanal teknolojisi tasarımını kullanmış, mükemmel Rdson ve düşük geçit şarjı sağlamıştır. RoHS standardına uygundur. 

2 Özellikler

● Düşük direnç 

● Düşük kapı ücreti 

● Hızlı geçiş 

● Düşük ters transfer kapasitansları 

● %100 tek darbeli çığ enerjisi testi 

● %100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Güç anahtarlama uygulamaları

● İnvertör yönetim sistemi

● Elektrikli aletler 

● Otomotiv elektroniği

VDSS	RDS(açık)(TİP)	İD
30V	2mΩ	200A