brána
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Nachádzate sa tu: Domov » Výrobky » Mosfet » 400V-1500V N MOS » 8a 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F8N65 TO-220F

zaťaženie

Zdieľať na:
Tlačidlo zdieľania Facebooku
Tlačidlo zdieľania Twitteru
tlačidlo zdieľania riadkov
Tlačidlo zdieľania WeChat
tlačidlo zdieľania linkedIn
Tlačidlo zdieľania Pinterest
Tlačidlo zdieľania WhatsApp
Tlačidlo zdieľania zdieľania zdieľania

8a 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET F8N65 TO-220F

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny.
Dostupnosť:
množstvo:

8A 650V N-kanálové vylepšenie režimu Power MOSFET


1 popis

Tieto N-kanálové vylepšené VDMOSFETS sa získava pomocou rovnovážnej technológie, ktorá znižuje stratu vodivosti, zlepšuje výkon prepínania a zvyšuje energiu lavíny. Čo je v súlade so štandardom ROHS. Spoločnosť TO-220F poskytuje izolačné napätie hodnotené pri 2000 V RMS od všetkých troch terminálov po vonkajší chladič. Séria TO-220F dodržiava štandardy UL (File Ref: E252906).

2 funkcie

● Rýchle prepínanie 

● Vylepšená schopnosť ESD

● Nízky odpor (rdson <1,4Ω) 

● Nízky náboj brány (typ: 23.7nc) 

● Nízke kapacity prenosu spätného prenosu (typ: 6.1pf) 

● 100% Energia Energy Energy Energy Test

● Test 100% ΔVDS 


3 aplikácie 

● Používa sa v rôznych obvodoch prepínania energie na miniaturizáciu systému a vyššiu účinnosť. 

● Obvod napájacieho spínača elektrónového predradníka a adaptéra.


VDSS  RDS (ON) (TYP) Id 
650V 1,15Ω 8a



Predchádzajúce: 
Ďalej: 
  • Prihláste sa do nášho bulletinu
  • Pripravte sa na budúcnosť
    Prihláste sa do nášho bulletinu, aby ste získali aktualizácie priamo do svojej doručenej pošty