8A Λειτουργία βελτίωσης καναλιών N 650 V Power MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα βελτιωμένα vdmosfet N-καναλιών, λαμβάνονται από τάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS. Το TO-220F παρέχει ονομαστική τάση μόνωσης στα 2000V RMS και από τους τρεις ακροδέκτες προς την εξωτερική ψύκτρα. Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (Αναφ. αρχείου: E252906).

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή 

● Βελτιωμένη ικανότητα ESD

● Χαμηλή αντίσταση (Rdson≤1,4Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τύπος: 23,7nC) 

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τύπος: 6,1 pF) 

● Δοκιμή ενέργειας χιονοστιβάδας 100% ενός παλμού

● Δοκιμή ΔVDS 100%. 

3 Εφαρμογές 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση. 

● Κύκλωμα διακόπτη ισχύος έρματος ηλεκτρονίων και προσαρμογέα.

VDSS	RDS(ενεργό) (TYP)	ταυτότητα
650V	1,15Ω	8Α