8A 650V N-Channel Enhancimment Mode Fuqia MOSFET F8N65 TO-220F

8A 650V N-Channel Enhancimment Mode MODE MOSFET

1 Përshkrimi

Këto VDMOSFET e përmirësuar me kanal, merren nga teknologjia planare e vetë-lidhur e cila zvogëlon humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe përmirëson energjinë e ortekut. Që përputhet me standardin ROHS. TO-220F siguron tension izolues të vlerësuar në 2000V RMS nga të tre terminalet në nxehtësinë e jashtme. Seria TO-220F përputhet me standardet UL (skedari Ref: E252906).

2 tipare

● Kalimi i shpejtë 

● ESD aftësi e përmirësuar

● Rezistencë e ulët (Rdson≤1.4Ω) 

Charge ngarkesë e ulët e portës (Tipi: 23.7NC) 

Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Tipi: 6.1pf) 

Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche

Test 100% ΔVDS 

3 aplikime 

● Përdoret në qark të ndryshëm ndërrimi të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitetin më të lartë. 

Circuit Rrethi i ndërprerjes së energjisë së çakëllit dhe përshtatësit të elektroneve.