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4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode DCD04D65G4 TO-252

4A 650V SiC-Schottky-Diode
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4A 650V SiC-Schottky-Barrierediode


1 Beschreibung 

Die Produktfamilie der SiC-Serie bietet modernste Leistung. Es ist für Hochfrequenzanwendungen konzipiert, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine hohe Zuverlässigkeit erforderlich sind. 


2 Funktionen 

  • Hochspannung 

  • Null-Rückstrom 

  • Null-Vorwärts-Erholungsspannung 

  • Positiver Temperaturkoeffizient auf VF 

  • 175 °C Betriebsübergangstemperatur 


3 Anwendungen 

  • Schaltnetzteile 

  • Leistungsfaktorkorrektur 

  • Motorantrieb, PV-Wechselrichter, Windkraftanlage


VDSS QC  WENN（TC≤135℃）
650V 11,5 nC 8A


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