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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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4A 650V SIC Schottky Barrera Diodo DCD04D65G4 a 252

4A 650V Sic Schottky Barrera Diodo
Disponibilidad:
Cantidad:

4A 650V SIC Schottky Barrera Diodo


1 descripción 

SIC Series Products Family ofrece una actuación de última generación. Está diseñado para aplicaciones de alta frecuencia donde se requiere alta eficiencia y alta confiabilidad. 


2 características 

  • alto voltaje 

  • Corriente de recuperación inversa cero 

  • Cero voltaje de recuperación hacia adelante 

  • Coeficiente de temperatura positiva en VF 

  • 175 ° C Temperatura de la unión operativa 


3 aplicaciones 

  • Suministros de alimentación del modo de conmutación 

  • Corrección del factor de potencia 

  • Motor Drive, inversor fotovoltaico, estación de energía eólica


VDSS Chabolla  Si (tc≤135 ℃)
650V 11.5nc 8A


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