4A 650V SiC Schottky Barrier Diode DCD04D65G4 TO-252

4A 650V SiC Schottky Barrier Diode

1 Περιγραφή 

Η οικογένεια προϊόντων της σειράς SiC προσφέρει κορυφαίες επιδόσεις. Είναι σχεδιασμένο για εφαρμογές υψηλής συχνότητας όπου απαιτείται υψηλή απόδοση και υψηλή αξιοπιστία. 

2 Χαρακτηριστικά 

• υψηλή τάση 

• Μηδενικό αντίστροφο ρεύμα ανάκτησης 

• Μηδενική τάση ανάκτησης προς τα εμπρός 

• Θετικός συντελεστής θερμοκρασίας σε VF 

• 175°C Θερμοκρασία διασταύρωσης λειτουργίας 

3 Εφαρμογές 

• Τροφοδοτικά εναλλαγής λειτουργίας 

• Διόρθωση συντελεστή ισχύος 

• Κίνηση κινητήρα, φωτοβολταϊκός μετατροπέας, ανεμογεννήτρια