MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de 100A 30V TO-252B 30H10K

MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 100 A y 30 V

1 Descripción

Estos vdmosfets mejorados de canal N utilizaron un diseño de tecnología de zanja avanzada, proporcionaron un Rdson excelente y una carga de puerta baja. Lo cual cumple con el estándar RoHS. 

2 características 

● Baja pérdida de conmutación 

● Baja resistencia (Rdson≤5.5mΩ) 

● Carga de puerta baja (tipo: 43 nC) 

● Baja capacitancia de transferencia inversa (tipo: 215 pF) 

● Prueba de energía de avalancha de pulso único al 100%

● Prueba 100% ΔVDS 

3 aplicaciones

● Aplicaciones de conmutación de energía 

● Sistema de gestión de inversores. 

● herramientas eléctricas 

● Electrónica automotriz

VDSS	RDS (activado) (TIPO)	IDENTIFICACIÓN
30V	3,8 mΩ	100A