100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET TO-252B 30H10K

100A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Նկարագրություն

Այս N-ալիքով ուժեղացված vdmosfet-ներն օգտագործում էին խրամուղիների առաջադեմ տեխնոլոգիայի դիզայն, ապահովում էին գերազանց Rdson և ցածր դարպասի լիցքավորում: Որը համապատասխանում է RoHS ստանդարտին: 

2 Հատկանիշներ 

● Միացման ցածր կորուստ 

● Ցածր դիմադրություն (Rdson≤5.5mΩ) 

● Դարպասի ցածր լիցքավորում (տեսակը՝ 43nC) 

● Հակադարձ փոխանցման ցածր հզորություն (տեսակը՝ 215 pF) 

● 100% մեկ իմպուլսային ավալանշ էներգիայի փորձարկում

● 100% ΔVDS թեստ 

3 Դիմումներ

● Էլեկտրաէներգիայի անջատման հավելվածներ 

● Inverter կառավարման համակարգ 

● Էլեկտրական գործիքներ 

● Ավտոմոբիլային էլեկտրոնիկա

VDSS	RDS (միացված) (TYP)	ID
30 Վ	3,8 mΩ	100 Ա