gerbang
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
You Are Here: Rumah » Produk » MOSFET » 12V-300V n Mos » 100a 30v N-Channel Mode Power Mosfet To-252B 30H10K

memuat

Bagikan ke:
Tombol Berbagi Facebook
Tombol Berbagi Twitter
Tombol Berbagi Baris
Tombol Berbagi WeChat
Tombol Berbagi LinkedIn
Tombol Berbagi Pinterest
Tombol Berbagi WhatsApp
Tombol Berbagi Sharethis

100A 30V N-saluran Mode Peningkatan Daya MOSFET MOSFET TO-252B 30H10K

100A 30V N-Channel Mode Peningkatan Daya MOSFET
Ketersediaan:
Kuantitas:

100A 30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET


1 deskripsi

VDMOSFET N-Channel yang ditingkatkan ini menggunakan desain teknologi parit canggih, memberikan RDSON yang sangat baik dan biaya gerbang rendah. Yang sesuai dengan standar ROHS. 


2 fitur 

● Kerugian switching rendah 

● Rendah pada resistansi (RDSON≤5.5MΩ) 

● Pengisian Gerbang Rendah (TYP: 43NC) 

● Kapasitansi transfer terbalik rendah (TYP: 215PF) 

● Tes energi longsor pulsa tunggal 100%

● Tes 100% ΔVDS 


3 aplikasi

● Aplikasi switching daya 

● Sistem manajemen inverter 

● Alat listrik 

● Elektronik otomotif



VDSS RDS (on) (Typ) PENGENAL 
30v 3.8mΩ 100a



Sebelumnya: 
Berikutnya: 
  • Mendaftar untuk buletin kami
  • Bersiaplah untuk Masa Depan
    Mendaftar untuk Buletin Kami Untuk Mendapatkan Pembaruan Langsung Ke Kotak Masuk Anda