가용성 : | |
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수량 : | |
30H10K
WXDH
30H10K
TO-252B
30V
100A
100A 30V N- 채널 향상 모드 전력 MOSFET
1 설명
이 N- 채널 향상된 VDMOSFETS를 사용한 고급 트렌치 기술 설계, 우수한 RDSON 및 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
2 가지 기능
● 스위칭 손실이 낮습니다
● 저항이 적습니다 (RDSON ≤5.5MΩ)
● 게이트 하전 (유형 : 43NC)
● 낮은 리버스 전송 커패시턴스 (유형 : 215pf)
● 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
● 100% ΔVDS 테스트
3 응용 프로그램
● 전원 스위칭 응용 프로그램
● 인버터 관리 시스템
● 전기 도구
● 자동차 전자 제품
VDSS | RDS (on) (타이핑) | ID |
30V | 3.8mΩ | 100A |
100A 30V N- 채널 향상 모드 전력 MOSFET
1 설명
이 N- 채널 향상된 VDMOSFETS를 사용한 고급 트렌치 기술 설계, 우수한 RDSON 및 낮은 게이트 전하를 제공했습니다. ROHS 표준에 따릅니다.
2 가지 기능
● 스위칭 손실이 낮습니다
● 저항이 적습니다 (RDSON ≤5.5MΩ)
● 게이트 하전 (유형 : 43NC)
● 낮은 리버스 전송 커패시턴스 (유형 : 215pf)
● 100% 단일 펄스 눈사태 에너지 테스트
● 100% ΔVDS 테스트
3 응용 프로그램
● 전원 스위칭 응용 프로그램
● 인버터 관리 시스템
● 전기 도구
● 자동차 전자 제품
VDSS | RDS (on) (타이핑) | ID |
30V | 3.8mΩ | 100A |