MOSFET de puissance TO-252B 30H10K, Mode d'amélioration du canal N, 100A, 30V

MOSFET de puissance en mode d'amélioration canal N 100 A 30 V

1 Descriptif

Ces vdmosfets améliorés à canal N utilisaient une conception de technologie de tranchée avancée, fournissaient un excellent Rdson et une faible charge de grille. Ce qui est conforme à la norme RoHS. 

2 Caractéristiques 

● Faible perte de commutation 

● Faible résistance (Rdson≤5,5 mΩ) 

● Faible charge de grille (type : 43 nC) 

● Faible capacité de transfert inverse (type : 215 pF) 

● Test d'énergie d'avalanche à impulsion unique à 100 %

● Test 100 % ΔVDS 

3 candidatures

● Applications de commutation de puissance 

● Système de gestion de l'onduleur 

● Outils électriques 

● Electronique automobile

VDSS	RDS (activé) (TYP)	IDENTIFIANT
30V	3,8 mΩ	100A