100A 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET à 252B 30H10K

100a 30V Mode d'amélioration du canal N MOSFET

1 Description

Ces VDMOSFETs améliorés en n canal ont utilisé une conception avancée de technologie de tranchée, ont fourni un excellent RDSON et une charge de porte basse. Qui correspond à la norme ROHS. 

2 caractéristiques 

● Perte de commutation basse 

● Faible en résistance (RDSON≤5,5mΩ) 

● Charge de porte basse (Typ: 43NC) 

● Capacité de transfert inverse faible (TYP: 215pf) 

● Test d'énergie à impulsion à 100% à une seule impulsion

● Test à 100% ΔVDS 

3 applications

● Applications de commutation d'alimentation 

● Système de gestion de l'onduleur 

● outils électriques 

● Electronique automobile