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Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
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Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V
Disponibilidad:
Cantidad:

Modo de mejora del canal N potencia MOSFET 180A 100V


1 descripción

Este modo de mejora de canal N de potencia MOSFETS utilizó un diseño de tecnología de trinchera de compuerta de espíritu avanzada, proporcionó una excelente carga de Rdson y baja puerta. Que concuerda con el estándar ROHS. 


2 características 

● Cambio rápido 

● Bajo en resistencia 

● carga de puerta baja 

● Corriente de alta avalancha 

● Capacitancias de transferencia inversa bajas

● Prueba de energía de avalancha de pulso 100% 100%

● Prueba de 100% ΔVDS 

● AEC-Q101 calificado 


3 aplicaciones 

● Rectificación sincrónica en SMPS 

● Circuito de conmutación dura y alta velocidad 

● Herramientas eléctricas

● UPS

● Control de motor

VDSS RDS (ON) (typ) IDENTIFICACIÓN Paquete
100V 2.4mΩ 180A A 220c
100V 2.2mΩ 180A A 263


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