port
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Du er her: Hjem » Produkter » Mosfet » 12v-300v N Mos » N-kanal Forbedringstilstand Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C

Indlæsning

Del til:
Facebook -delingsknap
Twitter -delingsknap
Linjedelingsknap
WeChat -delingsknap
LinkedIn -delingsknap
Pinterest -delingsknap
Whatsapp -delingsknap
Sharethis delingsknap

N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET 180A 100V DSG028N10NA TO-220C

N-kanalforbedringstilstand Power MOSFET 180A 100V
Tilgængelighed:
Mængde:

N-kanalforbedringstilstand Power Mosfet 180a 100V


1 Beskrivelse

Denne N-kanalforbedringstilstand Power MOSFETs brugte avanceret Split-portgraveteknologi-design, leverede fremragende RDSON og lav gate-ladning. Der stemmer overens med ROHS -standarden. 


2 funktioner 

● Hurtig skift 

● Lav modstand 

● Opladning med lav port 

● Høj lavine strøm 

● Lav omvendt overførselskapacitanser

● 100% enkelt puls -lavine energitest

● 100% ΔVDS -test 

● AEC-Q101 kvalificeret 


3 applikationer 

● Synkron ensrettet i SMP'er 

● Hård skift og højhastighedskredsløb 

● elværktøjer

● UPS

● Motorstyring

VDSS RDS (on) (typ) Id Pakke
100v 2,4mΩ 180a TO-220C
100v 2,2mΩ 180a TO-263


Tidligere: 
Næste: 
  • Tilmeld dig vores nyhedsbrev
  • Gør dig klar til den fremtidige
    tilmelding til vores nyhedsbrev for at få opdateringer direkte til din indbakke