12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet F12N65

12A 650V N-канальный режим режима Power Mosfet

1 Описание

Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS. TO-220F обеспечивает изоляционное напряжение, оцененное в 2000В среднеквадратичности от всех трех терминалов до внешнего радиатора. Серия TO-220F соответствует стандартам UL (File Ref: E252906). 

2 функции 

● Быстрое переключение

● Улучшенная ESD улучшенная способность 

● Низкое сопротивление (rdson≤0,8 Ом) 

● Заряд с низким затвором (тип: 32NC)

● Низкие емкости обратного переноса (тип: 7,0PF)

● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной

● Тест 100% ΔVDS 

3 приложения 

● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.

● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера.