porta
Jiangsu Donghai Semiconductor Co., Ltd
Ju jeni këtu: Shtëpi » Produktet » MOSFET » 400V-1500V N MOS » Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 12A 650V Fuqia MOSFET F12N65

ngarkim

Shpërndaje në:
butoni i ndarjes së facebook
butoni i ndarjes në Twitter
butoni i ndarjes së linjës
butoni i ndarjes së wechat
butoni i ndarjes së linkedin
butoni i ndarjes pinterest
butoni i ndarjes së whatsapp
Ndani këtë buton të ndarjes

Modaliteti i përmirësimit të kanaleve N 12A 650 V Fuqia MOSFET F12N65

12A 650V N-kanal i përmirësimit Modaliteti i fuqisë MOSFET
Disponueshmëria:
Sasia:

MOSFET i fuqisë 12A 650 V i modalitetit të përmirësimit të kanalit N


1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-linjëzuar e cila redukton humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS. TO-220F siguron tension izolues të vlerësuar në 2000V RMS nga të tre terminalet në ngrohësin e jashtëm. Seritë TO-220F përputhen me standardet UL (Ref. Skedari: E252906). 


2 Karakteristikat 

● Ndërrimi i shpejtë

● Aftësia e përmirësuar ESD 

● Rezistencë e ulët (Rdson≤0,8Ω) 

● Ngarkesa e ulët e portës (Lloji: 32 nC)

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Lloji: 7,0 pF)

● Testi i energjisë së ortekëve me puls 100% të vetëm

● Testi 100% ΔVDS 


3 Aplikacionet 

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së çakëllit elektronik dhe përshtatësit.


VDSS  RDS (aktiv) (TYP) ID 
650 V 0,66 Ω 12A



E mëparshme: 
Tjetër: 
  • Regjistrohu për buletinin tonë
  • bëhuni gati për e ardhshëm në buletinin tonë për të marrë përditësime direkt në kutinë tuaj hyrëse
    regjistrimin