Λειτουργία βελτίωσης 12A 650V N-Channel Power MOSFET F12N65

12A 650V N-Channel MODE MOSFET POWER MOSFET

1 περιγραφή

Αυτά τα ενισχυμένα VDMOSFETs N-Channel επιτυγχάνονται από την αυτο-ευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την απώλεια αγωγιμότητας, βελτιώνει την απόδοση της μεταγωγής και ενισχύει την ενέργεια της χιονοστιβάδας. Η οποία συμφωνεί με το πρότυπο ROHS. Το TO-220F παρέχει τάση μόνωσης με ονομαστική τιμή 2000V και από τα τρία τερματικά έως την εξωτερική ψύκτρα. Η σειρά TO-220F συμμορφώνεται με τα πρότυπα UL (αρχείο REF: E252906). 

2 χαρακτηριστικά 

● Γρήγορη εναλλαγή

● βελτιωμένη ικανότητα ESD 

● Χαμηλή αντίσταση (RDSON≤0,8Ω) 

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (τύπος: 32NC)

● Χαμηλές χωρητικότητες μεταφοράς (Typ: 7.0PF)

● Δοκιμή ενεργειακής δοκιμής 100% μονής παλμού Avalanche

● δοκιμή 100% ΔVDS 

3 αιτήσεις 

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κύκλωμα μεταγωγής τροφοδοσίας για μικροσκοπία συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας του έρματος ηλεκτρονίων και του προσαρμογέα.