ຮູບແບບການປັບປຸງແບບ ROWN-Channel-Channel-channel-channel mosfet f12n65

ຮູບແບບການປັບປຸງຂອງ MOTIFET

1

ນີ້ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ VDMOsfets ທີ່ໄດ້ຮັບການປັບປຸງ, ແມ່ນໄດ້ຮັບໂດຍເຕັກໂນໂລຢີຂອງແຜນທີ່ຂອງຕົວເອງເຊິ່ງຊ່ວຍຫຼຸດຜ່ອນການສູນເສຍການເຮັດວຽກ, ປັບປຸງການປ່ຽນແປງຂອງການເຮັດວຽກແລະເສີມຂະຫຍາຍພະລັງງານ avalanche. ເຊິ່ງສອດຄ່ອງກັບມາດຕະຖານ Rohs. ເຖິງ 220F ໃຫ້ການໃຫ້ຄະແນນແຮງດັນສະຫມອງຢູ່ທີ່ 2000V rms ຈາກທັງສາມສະຖານີສໍາລັບ heatsink ພາຍນອກ. ຊຸດ TO-220F ປະຕິບັດຕາມມາດຕະຖານ UL (ເອກະສານອ້າງອີງ: e252906). 

2 ລັກສະນະ 

●ສະຫຼັບໄວ

● Esd ປັບປຸງຄວາມສາມາດ 

●ຕ່ໍາສຸດຕໍ່ຕ້ານ (ສະຫນາມບິນairy≤0.8ω) 

●ຄ່າບໍລິການທີ່ຕ່ໍາ (ປະເພດ: 32NC)

●ມີການໂອນເງິນທີ່ມີການໂອນເງິນຫນ້ອຍ (ປະເພດ: 7.0PF)

● 100% SLULE ALALANCHE PURANCECE PORTALLECE

● 100% ການທົດສອບδvds 

3 ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ 

●ໃຊ້ໃນວົງຈອນສະຫຼັບພະລັງງານຕ່າງໆສໍາລັບລະບົບ miniaturization ແລະປະສິດທິພາບສູງ.

●ວົງຈອນສະຫຼັບໄຟຟ້າຂອງ Electron Ballast ແລະ Adapter.