12A 650V N-kanals forbedringsmodus Strøm MOSFET F12N65

12A 650V N-kanals Enhancement Mode Power MOSFET

1 Beskrivelse

Disse N-kanals forbedrede vdmosfetsene er oppnådd av den selvjusterte plane teknologien som reduserer ledningstapet, forbedrer bytteytelsen og forbedrer skredenergien. Som samsvarer med RoHS-standarden. TO-220F gir isolasjonsspenning vurdert til 2000V RMS fra alle tre terminaler til ekstern kjøleribbe. TO-220F-serien samsvarer med UL-standarder (Filref:E252906). 

2 funksjoner 

● Rask veksling

● ESD forbedret kapasitet 

● Lav motstand (Rdson≤0,8Ω) 

● Lav portlading (Type: 32nC)

● Lave reversoverføringskapasitanser (Type: 7,0pF)

● 100 % enkeltpuls skredenergitest

● 100 % ΔVDS-test 

3 applikasjoner 

● Brukes i forskjellige strømbryterkretser for systemminiatyrisering og høyere effektivitet.

● Strømbryterkrets for elektronballast og adapter.

VDSS	RDS(på) (TYP)	ID
650V	0,66 Ω	12A