12A 650V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet F12N65

12A 650V N-kanala Način poboljšanja Power Mosfet

1 Opis

Ovi n-kanalni poboljšani VDMOSFET-ovi dobivaju se samostalno usklađenom ravninskom tehnologijom koja smanjuje gubitak kondukcije, poboljšava performanse prebacivanja i poboljšava energiju lavine. Koji se slaže sa ROHS standardom. TO-220F osigurava izolacijski napon na 2000 V RM-a od sva tri terminala do vanjskog hladnjaka. TO-220F serija je u skladu s UL standardima (File Ref: E252906). 

2 značajke 

● Brzo prebacivanje

● ESD poboljšala sposobnost 

● Nizak otpor (Rdson≤0,8Ω) 

● Naboj s malim vratima (TIP: 32NC)

● Niske kondenzacije obrnutog prijenosa (Typ: 7.0PF)

● 100% pojedinačni test energetike pulsa

● 100% ΔVDS test 

3 prijave 

● Koristi se u različitim sklopnim sklopovima napajanja za minijaturizaciju sustava i veću učinkovitost.

● Krug sklopke napajanja elektronskog balasta i adaptera.