ДОСТУПЕНИЯ: | |
---|---|
Количество: | |
B4N60
WXDH
До 251b
600 В.
4а
4A 600V N-канальный режим режима мощности Power MOSFET
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (RDSON≤2,5 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 14.5nc)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 4,0PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
600 В. | 2,1 Ом | 4а |
4A 600V N-канальный режим режима мощности Power MOSFET
1 Описание
Эти N-канальные улучшенные VDMOSFETS получают с помощью самоопределенной плоской технологии, которая снижает потерю проводимости, повышает производительность переключения и повышает энергию лавины. Который согласуется со стандартом ROHS.
2 функции
● Быстрое переключение
● Улучшенная ESD улучшенная способность
● Низкое сопротивление (RDSON≤2,5 Ом)
● Заряд с низким затвором (тип: 14.5nc)
● Низкие емкости обратного переноса (тип: 4,0PF)
● 100% тест на электроэнергию с одним импульсной лавиной
● Тест 100% ΔVDS
3 приложения
● Используется в различных цепи переключения питания для миниатюризации системы и более высокой эффективности.
● Цепь переключателя питания электронного балласта и адаптера
VDSS | Rds (on) (тип) | ИДЕНТИФИКАТОР |
600 В. | 2,1 Ом | 4а |