4A 600V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET B4N60

4A 600V N Kanal Geliştirme Modu Güç MOSFET

1 Açıklama

Bu N-kanallı geliştirilmiş VDMOSFET'ler, iletim kaybını azaltan, anahtarlama performansını artıran ve çığ enerjisini artıran kendi kendine hizalanmış düzlemsel teknoloji ile elde edilir. ROHS standardı ile uyumludur. 

2 Özellik 

● Hızlı anahtarlama 

● ESD Geliştirilmiş özellik 

● Direnç düşük (rdson≤2.5Ω) 

● Düşük kapı şarjı (tip: 14.5nc) 

● Düşük ters transfer kapasitansları (tip: 4.0pf)

●% 100 tek nabız çığ enerji testi 

●% 100 ΔVDS testi 

3 Uygulama 

● Sistem minyatürleştirme ve daha yüksek verimlilik için çeşitli güç anahtarlama devresinde kullanılır. 

● Elektron balastının ve adaptörün güç anahtarı devresi