Elérhetőség: | |
---|---|
Mennyiség: | |
B4N60
WXDH
TO-251B
600 V -os
4A
4A 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 14.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 4.0pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 2.1Ω | 4A |
4A 600V N-csatornás javítási mód POWER MOSFET
1 Leírás
Ezeket az N-csatornás továbbfejlesztett VDMOSFET-eket az önállóan beállított sík technológia nyeri, amely csökkenti a vezetési veszteséget, javítja a kapcsolási teljesítményt és javítja az a lavina energiáját. Amely megfelel a ROHS szabványnak.
2 Jellemzők
● Gyors váltás
● Az ESD javított képessége
● Alacsony az ellenállás (rdson≤2,5Ω)
● Alacsony kapu töltés (TIP: 14.5NC)
● Alacsony fordított átviteli kapacitások (TIP: 4.0pf)
● 100% egyetlen impulzus lavina energiateszt
● 100% ΔVDS teszt
3 alkalmazás
● Különböző teljesítménykapcsoló -áramkörben használják a rendszer miniatürizálására és a nagyobb hatékonyságra.
● Az elektronballaszt és az adapter teljesítménykapcsoló áramköre
VDSS | Rds (on) (typ) | Személyazonosság |
600 V -os | 2.1Ω | 4A |