4A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET B4N60

4A 600V N-Kanal-Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden durch die selbstausrichtende Planartechnologie erreicht, die den Leitungsverlust reduziert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie erhöht. Was dem RoHS-Standard entspricht. 

2 Funktionen 

● Schnelles Umschalten 

● ESD-verbesserte Fähigkeit 

● Niedriger Einschaltwiderstand (Rdson≤2,5Ω) 

● Geringe Gate-Ladung (typisch: 14,5 nC) 

● Geringe Rückübertragungskapazitäten (Typ: 4,0 pF)

● 100 % Einzelimpuls-Lawinenenergietest 

● 100 % ΔVDS-Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Leistungsschaltkreisen zur Systemminiaturisierung und höherPAKET direkt zu einem niedrigen Preis und in hoher Qualität. 

● Leistungsschaltkreis des elektronischen Vorschaltgeräts und des Adapters

VDSS	RDS(ein)（TYP)	AUSWEIS
600V	2,1 Ω	4A