4A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET B4N60

4A 600V N-Kanalverbesserungsmodus Power MOSFET

1 Beschreibung

Diese N-Kanal-verstärkten VDMOSFETs werden von der selbst ausgerichteten planaren Technologie erhalten, die den Leitungsverlust verringert, die Schaltleistung verbessert und die Lawinenenergie verbessert. Das entspricht dem ROHS -Standard. 

2 Merkmale 

● schnelles Umschalten 

● ESD verbesserte die Fähigkeit 

● Niedrig des Widerstands (RDSON ≤ 2,5 Ω) 

● Ladung mit niedriger Gate (Typ: 14,5 nc) 

● Niedrige Rückwärtsübertragungskapazität (Typ: 4.0PF)

● 100% Einzelpuls -Avalanche -Energietest 

● 100% ΔVDS -Test 

3 Anwendungen 

● Wird in verschiedenen Stromschaltkreis für die Systemminiaturisierung und höhere Effizienz verwendet. 

● Stromschaltkreis von Elektronenballast und Adapter