4A 600V N-Channel Enhancimment Mode Fuqia MOSFET B4N60

4A 600V N-Channel Enhancimment Mode Fuqia MOSFET

1 Përshkrimi

Këto VDMOSFET e përmirësuar me kanal, merren nga teknologjia planare e vetë-lidhur e cila zvogëlon humbjen e përcjelljes, përmirëson performancën e ndërrimit dhe përmirëson energjinë e ortekut. Që përputhet me standardin ROHS. 

2 tipare 

● Kalimi i shpejtë 

● ESD aftësi e përmirësuar 

● Rezistencë e ulët (rdson≤2.5Ω) 

Charge Ngarkesa e ulët e portës (Tipi: 14.5NC) 

Cap Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (Tipi: 4.0pf)

Test 100% Pulse Pulse Test i Energjisë së Avalanche 

Test 100% ΔVDS 

3 aplikime 

● Përdoret në qark të ndryshëm ndërrimi të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitetin më të lartë. 

Circuit Rrethi i ndërprerjes së energjisë së çakëllit dhe përshtatësit të elektroneve