10Н65/Ф10Н65/И10Н65

10 А, 650 В, N-канальный режим улучшения, силовой МОП-транзистор

1 Описание

Эти кремниевые N-канальные улучшенные vdmosfets получены с помощью самовыравнивающейся планарной технологии, которая уменьшает

потери проводимости, улучшают характеристики переключения и повышают лавинную энергию. Что соответствует стандарту RoHS.

2 особенности

● Быстрое переключение

● Низкое сопротивление включения (Rdson≤1,0 Ом).

● Низкий заряд затвора (типовые данные: 32 нКл).

● Низкая емкость обратного переноса (типично: 7 пФ).

● 100% одноимпульсное испытание лавинной энергии.

● 100 % ΔVDS-тест.

3 приложения

● Используется в различных схемах переключения мощности для миниатюризации системы и повышения эффективности.

● Цепь выключателя питания адаптера и зарядного устройства.

ВДСС	RDS(вкл.)(ТИП)	ИДЕНТИФИКАТОР
650В	0,85 Ом	10А