10n65/f10n65/i10n65

10A 650V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Penerangan

Silicon N-channel ini meningkatkan vdmosfets, diperolehi oleh teknologi planar self-selaras yang mengurangkan

Kehilangan pengaliran, meningkatkan prestasi menukar dan meningkatkan tenaga longsor. Yang sesuai dengan standard ROHS.

2 ciri

● Pertukaran cepat

● Rendah pada rintangan (RDSON ≤1.0Ω)

● Caj Gate Rendah (Data Tipikal: 32NC)

● Kapasiti pemindahan terbalik rendah (tipikal: 7pf)

● Ujian tenaga Avalanche Pulse Single 100%

● Ujian 100% Δvds

3 aplikasi

● Digunakan dalam pelbagai litar pensuisan kuasa untuk pengurangan sistem dan kecekapan yang lebih tinggi.

● Litar suis kuasa penyesuai dan pengecas.