10N65/F10N65/I10N65

10A 650V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

1 Περιγραφή

Αυτά τα vdmosfets ενισχυμένα με κανάλια πυριτίου N, λαμβάνονται από την αυτοευθυγραμμισμένη επίπεδη τεχνολογία που μειώνει την

απώλεια αγωγιμότητας, βελτίωση της απόδοσης μεταγωγής και ενίσχυση της ενέργειας χιονοστιβάδας. Το οποίο συμφωνεί με το πρότυπο RoHS.

2 Χαρακτηριστικά

● Γρήγορη εναλλαγή

● Αντίσταση χαμηλής ενεργοποίησης (Rdson≤1,0Ω)

● Χαμηλή φόρτιση πύλης (Τυπικά δεδομένα: 32nC)

● Χαμηλές χωρητικότητες ανάστροφης μεταφοράς (Τυπικό: 7pF)

● Ενεργειακή δοκιμή 100% Single Pulse Avalanche

● 100% ΔVDS Test

3 Εφαρμογές

● Χρησιμοποιείται σε διάφορα κυκλώματα μεταγωγής ισχύος για σμίκρυνση συστήματος και υψηλότερη απόδοση.

● Κύκλωμα διακόπτη τροφοδοσίας προσαρμογέα και φορτιστή.

VDSS	RDS(ενεργό)(TYP)	ταυτότητα
650V	0,85Ω	10Α