10N65/F10N65/I10N65

MOSFET me fuqi 10A 650 V të modalitetit të përmirësimit të kanalit N

1 Përshkrimi

Këto vdmosfet të zgjeruara me kanal silikoni N, përftohen nga teknologjia planare e vetë-drejtuar e cila redukton

humbja e përcjellshmërisë, përmirëson performancën e ndërrimit dhe rrit energjinë e ortekëve. Që përputhet me standardin RoHS.

2 Karakteristikat

● Ndërrimi i shpejtë

● Rezistencë e ulët ON (Rdson≤1,0Ω)

● Ngarkesë e ulët e portës (Të dhënat tipike: 32 nC)

● Kapacitete të ulëta të transferimit të kundërt (tipike: 7 pF)

● Testi i Energjisë së Ortekut 100% me një impuls të vetëm

● Test 100% ΔVDS

3 Aplikacionet

● Përdoret në qark të ndryshëm komutues të energjisë për miniaturizimin e sistemit dhe efikasitet më të lartë.

● Qarku i ndërprerësit të rrymës së përshtatësit dhe karikuesit.

VDSS	RDS(aktiv) (TYP)	ID
650 V	0,85 Ω	10A